在AI技术爆发、数字经济奔腾向前的时代，数据存储作为算力的核心底座，正迎来颠覆性变革。新存科技（武汉）有限责任公司，这家扎根武汉光谷的国产三维相变存储器（3D PCM）芯片领军企业，以技术为帆、创新为桨，在AI浪潮中乘风破浪，扛起国产高端存储自主可控的大旗，书写属于中国存储的奋进篇章。

2022年7月29日，武汉新存在武汉东湖高新区未来科技城龙山创新园正式成立，注册资本1785.75万元。诞生之初，武汉新存便锚定“国产三维相变存储器芯片设计、研发与制造”的核心定位，深耕3D PCM这一前沿赛道。作为高新企业、专精特新企业及瞪羚企业，武汉新存自成立起就备受关注，短短数年完成A/A+/A++/B轮融资，累计融资超10亿元，汇聚产业资本与专业创投的合力，为技术研发与产能建设注入强劲动能。

AI领域的跨越式发展，对存储芯片提出了高速度、大容量、低延迟、长寿命的极致要求。传统存储芯片难以适配AI训练、大数据中心、云计算等场景的高强度需求，而三维相变存储器（3D PCM）凭借独特的技术原理，成为破解存储瓶颈的关键方案。武汉新存精准洞察行业痛点，组建以鞠韶复为核心的研发团队，潜心钻研，攻克三维堆叠、相变材料、芯片架构等一系列核心难题，打破国际巨头的技术垄断。

技术深耕终结硕果，武汉新存的NM系列3D PCM芯片，接连实现国产存储的历史性突破。2024年9月，NM101重磅发布，这是国产首款64Gb三维相变存储芯片，采用创新三维堆叠技术，单颗芯片集成百亿级非易失性存储器件，支持随机读写，读写速度较国内同类产品提升10倍以上，寿命增加5倍，彻底终结国产大容量3D PCM芯片空白的历史。2025年1月，NM102迭代问世，容量升级至128Gb，最高速率达3200MT/s，可满足企业级与消费级高性能存储的多元需求，树立国产高端存储新标杆。

硬核产品背后，是扎实的技术壁垒与专利布局。截至目前，武汉新存已积累273项专利，其中国际专利60项、中国专利213项，构建起全自主三维集成技术体系，绕开国际专利壁垒，牢牢掌握技术自主权。凭借领先技术，武汉新存成为国内唯一实现64Gb级3D PCM量产的企业，跻身全球第二梯队，仅次于三星、美光等国际巨头，让中国在新型存储领域拥有了话语权。

立足技术优势，武汉新存精准赋能AI时代核心场景。从AI服务器、数据中心到云计算、嵌入式存储，从企业级高性能存储到消费级终端设备，NM系列芯片以高带宽、低延迟、高可靠性的特性，完美适配AI大模型训练、海量数据实时处理等核心需求。目前，公司产品已进入华为、阿里、腾讯等头部企业供应链测试，还荣获华为奥林帕斯先锋奖，凭借过硬品质获得行业认可，助力国产AI算力生态自主可控。

扎根武汉光谷，武汉新存的成长离不开区域产业沃土的滋养。作为“世界光谷”，武汉东湖高新区聚焦存储器芯片、三维集成等核心领域，出台系列专项政策，设立专项资金，支持企业突破关键核心技术，打造“世界存储之都”。从厂房建设到人才引育，从政策补贴到产业协同，光谷的全链条支持，为武汉新存建设12万片/年3D PCM产线、实现量产良率65%提供了坚实保障。如今，武汉新存已形成从芯片设计、研发到制造的完整产业链，朝着世界一流的目标稳步迈进。

从技术突围到产业落地，从单点突破到生态共建，武汉新存的每一步，都彰显着国产半导体企业的坚守与担当。面对AI时代的无限机遇与全球竞争的严峻挑战，武汉新存将继续以创新为核心，持续迭代3D PCM技术，丰富产品矩阵，扩大产能规模，深化与产业链上下游的协同合作，构建自主可控、开放共赢的国产新型存储生态。

潮涌AI时代，风好正扬帆。武汉新存科技，以自主创新为舵，以硬核产品为帆，在国产高端存储的新征程上勇毅前行，助力中国半导体产业打破垄断、弯道超车，为数字中国建设注入强劲“芯”动力，在全球存储舞台上绽放中国力量！

专题：新存科技AI